DK150GC/DK150GP

■ 无卤素 (Cl or Br<900ppm)
■ 优良的机械加工性和耐热性
■ 低 Z 向热膨胀系数,与无铅制程兼容

应用领域

智能手机、平板电脑、汽车电子、通讯设备等

Tg

153

Td

400

CTE

2.9

详细信息

测试项目单位处理条件典型值规格值
TgDSC153≥150
Z-axis CTEppm/℃<Tg47≤60
ppm/℃>Tg237≤300
%50-260℃2.9≤3.5
表面电阻率耐湿后2.7X10E9≥10E4
E-24/ 1255.3X10E10≥10E3
体积电阻率MΩ·cm耐湿后1.2X10E9≥10E6
E-24/ 1253.1X10E7≥10E3
介电常数 1GHz-C-24/23/504.6≤5.4
介质损耗 1GHz-C-24/23/500.01≤0.035
耐电弧性secD-48/50+D-0.5/23180≥60
击穿电压KVD-48/50+D-0.5/2345+KV NB≥40
吸水率%D-24/230.13≤0.5
阻燃性-C-24/23/50+E-24/12594V-094V-0
Td热分解温度10℃/MIN,N2,5%Wt Loss400≥325
T288minTMA>60≥5
T260minTMA>60≥30

剥离强度(HTE HOZ)

N/mm

125℃ 

1.1

≥0.7

Float288℃/10Sec

1.1

≥1.05

热应力未蚀刻的secFloat288℃/10Sec>300≥10
蚀刻的
弯曲强度Length DirectionN/mm2A540≥415
Cross DirectionN/mm2A474≥345
相比电痕化指数VIEC60112MethodPLC 2-

 

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