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Tg
Td
CTE
条件：
清空条件
特点
■ 无卤素 (Cl or Br＜900ppm)
■ Tg>170℃
■ Dk4.2(10GHz)，Df0.013(10GHz)，RC50
■ 优良的机械加工性和耐热性
■ 低 Z 向热膨胀系数，与无铅制程兼容及抗 CAF 功能
■ Tg>170℃
■ Dk4.2(10GHz)，Df0.013(10GHz)，RC50
■ 优良的机械加工性和耐热性
■ 低 Z 向热膨胀系数，与无铅制程兼容及抗 CAF 功能
应用领域
智能手机、平板电脑、汽车电子、通讯设备、路由器等
说明
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