DK170GMF/DK170GMP

■ 无卤素 (Cl or Br<900ppm)
■ Tg>170℃
■ Dk4.1(10GHz),Df0.0108(10GHz),RC55%
■ 优良的机械加工性和耐热性
■ 低 Z 向热膨胀系数,与无铅制程兼容及抗 CAF 功能

分类:

应用领域

智能手机、平板电脑、汽车电子、通讯设备、路由器等

Tg

190

Td

385

CTE

2.1

详细信息

测试项目单位处理条件典型值规格值
TgDSC190≥170
Z-axis CTEppm/℃<Tg41≤60
ppm/℃>Tg200≤300
%50-260℃2.1≤3.5
表面电阻率耐湿后3.0X10E7≥10E4
体积电阻率MΩ·cm耐湿后8.2X10E7≥10E4
介电常数 10GHz-C-24/23/504.1≤5.4
介电损耗 10GHz-C-24/23/500.0108≤0.035
耐电弧性secD-48/50+D-0.5/23181≥60
击穿电压KVD-48/50+D-0.5/2345+KV NB≥40
吸水率%D-24/230.1≤0.8
阻燃性-C-24/23/50+E-24/12594V-094V-0
Td热分解温度10℃/MIN, N2, 5%Wt Loss385≥325
T288minTMA>60≥5
T260minTMA>60≥30

剥离强度(HTE 1OZ)

N/mm

125℃

1.25

≥0.7

Float288℃/10Sec

1.3

≥1.05

热应力未蚀刻的secFloat288℃/10Sec150≥10
蚀刻的
弯曲强度Length DirectionN/mm2A532≥415
Cross DirectionN/mm2A434≥345
相比电痕化指数VIEC60112MethodPLC 2PLC 2

 

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