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Tg
Td
CTE
条件:
清空条件
特点
■ 无卤素 (Cl or Br<900ppm)
■ Tg190℃(TMA)
■Dk4 .1(10GHz) ,Df0.0070(10GHz) ,RC55%
■优良的机械加工性和耐热性
■低 Z 向热膨胀系数,与无铅制程兼容及抗 CAF 功能 Features
■ Tg190℃(TMA)
■Dk4 .1(10GHz) ,Df0.0070(10GHz) ,RC55%
■优良的机械加工性和耐热性
■低 Z 向热膨胀系数,与无铅制程兼容及抗 CAF 功能 Features
应用领域
智能手机、平板电脑、汽车电子、通讯设备、路由器等
特点
■ 无卤素 (Cl or Br<900ppm)
■ Tg>170℃
■ Dk4.1(10GHz),Df0.0108(10GHz),RC55%
■ 优良的机械加工性和耐热性
■ 低 Z 向热膨胀系数,与无铅制程兼容及抗 CAF 功能
■ Tg>170℃
■ Dk4.1(10GHz),Df0.0108(10GHz),RC55%
■ 优良的机械加工性和耐热性
■ 低 Z 向热膨胀系数,与无铅制程兼容及抗 CAF 功能
应用领域
智能手机、平板电脑、汽车电子、通讯设备、路由器等