DK200/DK200P

■ PN固化,Tg 大于 190℃
■ 优良的耐热性,低 Z 向热膨胀系数和优越的通孔能力
■符合 IPC-4101/126 规范要求 (无铅、高 Td、低 Z 向热膨胀系数,抗 CAF)

应用领域

适用于高多层 PCB ,电脑、通讯、汽车电子等

Tg

195

Td

360

CTE

2.2

详细信息

测试项目单位处理条件典型值规格值
Tg°CDSC195≥170
Z-axis CTEppm/°C<Tg45≤60
ppm/°C>Tg210≤300
%50-260°C2.2≤3.0
表面电阻率E-24/1253.5X10E610E3
体积电阻率MΩ·cmE-24/1256.3X10E810E3
介电常数 1MHz-C-24/23/504.5≤5.4
介质损耗 1MHz-C-24/23/500.013≤0.035
耐电弧性secD-48/50+D-0.5/23139≥60
击穿电压KVD-48/50+D-0.5/2345+KV,NB≥40
吸水率%D-24/230.13≤0.5
阻燃性-C-24/23/50+E-24/12594V-094V-0
Td热分解温度°C10°C/MIN,N2,5%Wt Loss>360≥340
T288minTMA>60≥15
T260minTMA>60≥30
剥离强度(HTE 1OZ)N/mm125°C1.4≥0.7
Float288°C/10Sec1.6≥1.05
热应力未蚀刻的SecFloat288°C/10Sec>300≥10
蚀刻的
弯曲强度Length DirectionN/mm2A547≥415
Cross DirectionN/mm2A436≥345
相比电痕化指数VIEC60112MethodPLC 3PLC 3

 

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