DK1650GC/DK1650GP

■ 无卤素 (Cl or Br<900ppm) 、Tg 值大于 150℃、CTI 值≥600V
■ 优秀的耐离子迁移性能
■ 优良的机械加工性和耐热性
■ 低 Z 向热膨胀系数,与无铅制程兼容

应用领域

新能源汽车、计算机、仪器仪表、通讯设备等

Tg

155

Td

370

CTE

2.8

详细信息

测试项目单位处理条件典型值规格值
Tg°CDSC155≥150
Z-axis CTEppm/°C<Tg45≤60
ppm/°C>Tg238≤300
%50-260°C2.8≤3.5
表面电阻率耐湿后3.0X10E7≥10E4
体积电阻率MΩ·cm耐湿后8.2X10E7≥10E4
介电常数 1GHz-C-24/23/504.47≤5.4
介质损耗 1GHz-C-24/23/500.008≤0.035
耐电弧性secD-48/50+D-0.5/23181≥60
击穿电压KVD-48/50+D-0.5/2345+KV NB≥40
吸水率%D-24/230.13≤0.5
阻燃性-C-24/23/50+E-24/12594V-094V-0
Td热分解温度°C10°C/MIN, N2, 5%Wt Loss370≥325
T288minTMA>60≥5
T260minTMA>60≥30

剥离强度(HTE 1OZ)

N/mm

125°C 

1.25

≥0.7

Float288°C/10Sec

1.3

≥1.05

热应力未蚀刻的secFloat288°C/10Sec150≥10
蚀刻的
弯曲强度Length DirectionN/mm2A532≥415
Cross DirectionN/mm2A434≥345
相比电痕化指数VIEC60112MethodPLC 0PLC 0

 

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